La chimica dei boruri e nitruri inorganici si fonda su una peculiare interazione elettronica che deriva dall'isoelettronicità tra il nitruro di boro (BN) e le forme allotropiche del carbonio. Il BN presenta la formula chimica \[ {\ce {BN}} \] dove il boro e l'azoto sono combinati in rapporto uno a uno, conferendo al composto una stabilità elettronica simile a quella del carbonio nelle sue forme più comuni. Questo legame è caratterizzato da un forte carattere polare B-N dovuto alla differenza di elettronegatività tra i due elementi, che determina proprietà fisiche e chimiche differenti rispetto ai materiali carboniosi analoghi.
L'isoelettronicità spiega perché il nitruro di boro possa esistere in polimorfismi simili al diamante e alla grafite. In questi composti, la configurazione elettronica favorisce la formazione di reticoli cristallini tridimensionali o bidimensionali con caratteristiche meccaniche estremamente diverse ma con un comune fondamento strutturale. La polarità del legame B-N influenza inoltre le proprietà elettriche: mentre nel carbonio grafitico si ha una conduzione elettrica facilitata dai pi-electroni del sistema aromatico, nel BN esagonale questi elettroni sono localizzati attorno all'azoto e non contribuiscono alla conduzione.
Il nitruro di boro cubico (c-BN) si forma tramite una conversione ad alta pressione e temperatura dalla sua forma esagonale. Il passaggio critico avviene intorno a pressioni di 18 GPa e temperature comprese tra i 1730 e i 3230 °C. L'inserimento controllato di ossido di boro durante la sintesi può abbassare la pressione necessaria a valori compresi tra 4 e 7 GPa, riducendo così anche la temperatura richiesta fino a circa 1500 °C. Questi parametri termodinamici indicano che la trasformazione richiede condizioni estreme per superare le barriere energetiche associate al riorientamento degli strati cristallini da una struttura planare esagonale a un reticolo tridimensionale cubico.
La presenza di catalizzatori quali litio, potassio o magnesio, o loro nitruri e fluoruri, facilita questo processo. Altri metodi industriali usano cristalli che vengono fatti crescere in gradienti di temperatura, oppure in gradienti esplosivi (onda di pressione o shock wave). La deposizione chimica da vapore assistita da plasma, la deposizione per fascio ionico (IBD), la deposizione ablativa laser e la deposizione da polverizzazione catodica sono altri metodi utilizzati per ottenere film sottili di c-BN, sebbene questa tecnica rimanga eccezionale rispetto alla sintesi tradizionale ad alta pressione.
L'impalcatura cristallina cubica conferisce al nitruro di boro una durezza comparabile al diamante con valori che raggiungono da 9,5 fino a 10 sulla scala di Mohs. Questa estrema durezza deriva dal forte legame covalente B-N distribuito uniformemente nel reticolo tridimensionale. Inoltre, il c-BN possiede un'elevata conducibilità termica dovuta ai fononi come vettori principali del calore; questa caratteristica differenzia il materiale dai metalli dove il trasporto termico avviene principalmente tramite elettroni.
A contatto con ambienti ossidanti ad alte temperature, il c-BN sviluppa uno strato passivo costituito da ossido di boro, che limita ulteriormente l'usura chimica degli strumenti abrasivi realizzati con questo materiale. Questa resistenza all'ossidazione rende c-BN superiore al diamante nelle lavorazioni industriali che coinvolgono leghe ferrose o nicheliche ad elevate temperature. Il c-BN è preferito per lavorare l'acciaio, mentre il diamante è preferito per leghe di alluminio, ceramiche e pietra.
La natura polare dei legami B-N influenza fortemente le proprietà superficiali dei composti boruro-nitrurici. Nei sistemi misti o compositi contenenti boruro di titanio o altri boruri metallici associati a nitruri come quello di silicio o titanio-allumina, l'interfaccia chimica genera interstrati metallici che migliorano l'adesione tra fasi ceramiche e metalliche.
Questi interstrati risultano fondamentali nella fabbricazione degli utensili da taglio policristallini (PcBN), dove un compromesso ottimale tra durezza e tenacità viene raggiunto attraverso l'ingegnerizzazione delle microstrutture composite. La presenza contemporanea di fasi boruriche migliora la resistenza agli shock termici durante le lavorazioni industriali rapide.
Il boro nitruro esagonale (h-BN), noto anche come grafite bianca per analogia strutturale con la grafite del carbonio, mantiene stabilità fino a temperature elevate: circa 1000 °C in aria, fino a 1400 °C nel vuoto ed eccezionalmente fino a circa 2800 °C in atmosfere costituite da gas inerti. Tale stabilità è attribuibile alla forte polarizzazione dei legami B-N che limita la reattività chimica anche in condizioni estreme.
Il meccanismo lubrificante dell’h-BN si basa sull’interazione tra gli strati esagonali fusi, che a differenza della grafite sono in registro: gli strati sono cioè direttamente uno sopra l'altro. Quando il meccanismo lubrificante non contiene molecole d'acqua nei suoi strati, i lubrificanti al nitruro di boro possono essere utilizzati anche nel vuoto, per esempio nello spazio.
Le proprietà dielettriche elevate dell’h-BN lo rendono ideale come substrato isolante nei semiconduttori, nelle finestre trasparenti alle microonde e in altre applicazioni elettroniche. Le applicazioni spaziano dalla protezione meccanica negli organi soggetti ad attrito alle componenti elettroniche resistenti alle radiazioni ultraviolette grazie al band gap ampio tipico anche della fase cubica (6,2 eV).
La capacità dell’h-BN di ridurre l’espansione termica nei materiali compositi aumenta significativamente la durabilità contro shock termici improvvisi quando addizionato a ceramiche quali nitruro di silicio, nitruro di silicio-alluminio, nitruro di titanio-allumina, alluminio, zirconio, vetro borosilicato, vetroceramica, smalto e ceramiche composite a base di boruro di titanio-nitruro di boro.
Il nitruro di boro cubico può essere drogato efficacemente per ottenere semiconduttori tipo-p tramite elementi come il berillio, oppure tipo-n attraverso zolfo o silicio. Questi processi sfruttano l’ampiezza del band gap per realizzare dispositivi elettronici capaci di operare fino a temperature estreme prossime ai 600 °C senza degradazione prestazionale.
I dispositivi risultanti includono LED UV basati su BN che espandono l’utilizzo della tecnologia semiconduttrice verso nuove bande spettrali non accessibili con materiali più convenzionali come il silicio o il carburo di silicio.
Sto generando il riassunto…