L'effetto fotovoltaico si manifesta quando un elettrone nella banda di valenza di un semiconduttore assorbe un fotone con energia sufficientemente alta da superare la banda proibita, passando così alla banda di conduzione. Questo processo è il fulcro della generazione di corrente elettrica nelle celle fotovoltaiche, in cui la luce incidente viene convertita direttamente in energia elettrica mediante la separazione e il movimento degli elettroni e delle lacune generate [1].
La fisica dello stato solido definisce la banda proibita come l'intervallo energetico tra la banda di valenza, dove gli elettroni sono legati agli atomi, e la banda di conduzione, dove gli elettroni sono liberi di muoversi e contribuire alla conduzione elettrica. Nel caso dei semiconduttori, questa banda proibita ha un valore intermedio che consente all'energia dei fotoni solari di eccitare gli elettroni senza necessità di fornire energia termica elevata o senza che gli elettroni siano già delocalizzati come nei metalli [1].
Nel dettaglio, il fenomeno si basa sull'assorbimento della radiazione elettromagnetica. Quando un fotone investe il semiconduttore, trasferisce la sua energia a un elettrone vincolato nella banda di valenza. Se l'energia del fotone è almeno pari al valore della banda proibita del materiale, l'elettrone può essere liberato creando una coppia elettrone-lacuna: l'elettrone passa alla banda di conduzione mentre nella banda di valenza rimane una lacuna, ossia una carenza elettronica che si comporta come una carica positiva mobile nel reticolo cristallino [1].
La risposta spettrale assoluta \( RS(\lambda) \), espressa come rapporto tra corrente generata in ampere e potenza luminosa incidente in watt per una data lunghezza d'onda \( \lambda \), quantifica l'efficienza con cui una cella fotovoltaica converte i fotoni incidenti in corrente elettrica. Questa grandezza viene fornita in termini spettrali, cioè in funzione della lunghezza d'onda della luce incidente, in maniera del tutto analoga al concetto di risposta in frequenza [1].
Il silicio rappresenta il materiale semiconduttore più diffuso nelle celle fotovoltaiche. Altri materiali dielettrici hanno valori troppo elevati del band gap per essere eguagliati dall'energia del fotone incidente, mentre nei conduttori il band gap è assente e l'energia necessaria alla creazione di coppie elettrone-lacuna viene fornita direttamente dalle fluttuazioni termiche. Nel silicio e in altri semiconduttori, l'assorbimento dei fotoni induce transizioni elettroniche che generano portatori di carica mobili utilizzabili per produrre corrente [1].
Il campo elettrico interno necessario per separare le cariche è creato attraverso il drogaggio differenziato del semiconduttore. La zona n è drogata con elementi del quinto gruppo della tavola periodica, come il fosforo, che introducono un elettrone in eccesso per ogni atomo drogante. La zona p è drogata con elementi del terzo gruppo, come il boro, che creano un eccesso di lacune. La giunzione p-n definita da questi due strati genera una regione di svuotamento o depletion region dove si stabilisce un campo elettrico interno (tensione built-in) che dirige gli elettroni verso la zona n e le lacune verso la zona p [1].
In condizioni di equilibrio elettrostatico questo campo impedisce agli elettroni e alle lacune di ricombinarsi, permettendo così la raccolta dei portatori di carica tramite contatti metallici esterni. Quando la giunzione viene illuminata con fotoni, si formano coppie elettrone-lacuna sia nella zona n che nella zona p; il campo built-in permette di dividere gli elettroni in eccesso dalle lacune, spingendoli in direzioni opposte. Connettendo la giunzione con un conduttore esterno, si otterrà un circuito chiuso nel quale il flusso di elettroni parte dallo strato n, a potenziale maggiore, verso lo strato p, a potenziale minore, fintanto che la cella resta esposta alla luce [1].
La larghezza tipica della regione di svuotamento è dell’ordine di pochi micrometri. Va sottolineato che il materiale risulta essere globalmente neutro, dato che il drogaggio viene realizzato con atomi neutri e non ioni; ciò che cambia è l'eccesso di elettroni nei legami covalenti da una parte e il difetto degli stessi dall'altra [1].
Il meccanismo descritto permette anche la spiegazione storica dell’effetto osservato da Alexandre Edmond Becquerel nel 1839: l’interazione corpuscolare tra fotoni ed elettroni nel materiale conduce a fenomeni macroscopicamente osservabili come correnti prodotte direttamente dall’irraggiamento luminoso senza necessità di altre fonti energetiche esterne [1]. Albert Einstein nel 1905 formalizzò teoricamente l’effetto fotoelettrico, del quale l’effetto fotovoltaico rappresenta una sottocategoria, dimostrando che l'energia del fotone deve essere almeno uguale alla banda proibita del materiale per liberare l'elettrone; tale lavoro fu riconosciuto con il Premio Nobel per la fisica nel 1921 [1].
L’effetto fotovoltaico nei semiconduttori rappresenta quindi il risultato diretto dell’interazione quantistica tra radiazioni elettromagnetiche e bande elettroniche discrete nei materiali solidi: le proprietà intrinseche dei materiali determinano i parametri fondamentali quali risposta spettrale \( RS(\lambda) \), tensione built-in e corrente massima ottenibile [1].
La progettazione delle celle deve considerare le caratteristiche specifiche del band gap per massimizzare l’assorbimento della luce solare utile; inoltre occorre minimizzare perdite dovute a ricombinazioni indesiderate nelle regioni neutre o nelle zone dopate adiacenti alla giunzione. Queste ottimizzazioni coinvolgono anche aspetti tecnologici relativi al controllo preciso del doping e alle tecniche di deposizione dei materiali semiconduttori [1].
L’efficacia pratica del dispositivo dipende infine dal bilanciamento tra capacità generativa delle coppie portatori sotto irraggiamento solare reale – caratterizzato da uno spettro continuo – e le perdite resistive interne ed esterne che influenzano la corrente misurata ai terminali esterni [1].
Sto generando il riassunto…